APTGT75DA170D1G

Microchip
Transistors - IGBTs - Modules
IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Время включения (тон)：400 ns
Время отключения (toff)：1200 ns
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：APTGT75DA170D1G
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.73
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：7
Код JESD-30：R-XUFM-X5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный ток коллектора (IC)：130 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1700 V

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

APTGT75DA170D1G