Изображение служит лишь для справки

2N2369A

Lagernummer 3678

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-18-3
  • Вид крепления:Through Hole
  • Поставщик упаковки устройства:TO-18 (TO-206AA)
  • Полярность транзистора:NPN
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:4.5 V
  • Распад мощности:360 mW
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:450 mV
  • Вес единицы:0.496363 oz
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology / Atmel
  • Максимальный постоянный ток сбора:100 mA
  • РХОС:N
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:15 V
  • Пакет:Bulk
  • Основной номер продукта:2N2369
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетирование:Bulk
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Серия:-
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Распад мощности:360
  • Мощность - Макс:360 mW
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 100mA, 1V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):400nA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:450mV @ 10mA, 100mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):15 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):40 V
  • Прямоходящий ток коллектора:100
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 3678

Итого $0.00000