Изображение служит лишь для справки

JAN1N6475

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:2
  • Поставщик упаковки устройства:28-SOIC
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Пакет:Tube
  • Mfr:ams OSRAM
  • Состояние продукта:Obsolete
  • Основной номер продукта:1N6475
  • Описание пакета:O-XALF-W2
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:JAN1N6475
  • Максимальная мощность рассеяния:3 W
  • Форма упаковки:ROUND
  • Производитель:Microsemi Corporation
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Ранг риска:2.11
  • Рабочая температура:-25°C ~ 70°C
  • Серия:-
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
  • Технология:AVALANCHE
  • Напряжение - Питание:-
  • Положение терминала:AXIAL
  • Форма вывода:WIRE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Нормативная Марка:MIL-19500/552C
  • Код JESD-30:O-XALF-W2
  • Функция:Line Interface Unit (LIU)
  • Квалификационный Статус:Qualified
  • Направленность:UNIDIRECTIONAL
  • Конфигурация:SINGLE
  • Интерфейс:Serial
  • Количество цепей:1
  • Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Ток - Питание:3mA
  • Максимальное обратное напряжение:40.3 V
  • Максимальная мощность разрядки:1500 W
  • Минимальная напряжение разрушения:43.7 V

Со склада 0

Итого $0.00000