Изображение служит лишь для справки

APT38F50J

Lagernummer 15

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Корпус / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
  • Монтаж:Chassis Mount, Screw
  • Количество контактов:4
  • Поставщик упаковки устройства:ISOTOP®
  • Производитель:ABB
  • Пакет:Tube
  • Основной номер продукта:APT38F50
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:38A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Mfr:Microchip Technology
  • Максимальная мощность рассеяния:355W (Tc)
  • Состояние продукта:Active
  • Распад мощности:355 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 30 V, + 30 V
  • Вес единицы:1.058219 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:Screw Mounts
  • Бренд:Microchip Technology
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:100 mOhms
  • РХОС:Details
  • Id - Непрерывный ток разряда:38 A
  • Количество элементов:1
  • Время отключения:100 ns
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:POWER MOS 8™
  • Пакетирование:Tube
  • Тип:MOSFET
  • Максимальная рабочая температура:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
  • Максимальная потеря мощности:355 W
  • Технология:MOSFET (Metal Oxide)
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Распад мощности:355 W
  • Время задержки включения:38 ns
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:100mOhm @ 28A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 2.5mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:8800 pF @ 25 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:220 nC @ 10 V
  • Время подъема:45 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
  • Угол настройки (макс.):±30V
  • Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
  • Непрерывный ток стока (ID):38 A
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30 V
  • Входной ёмкости:8.8 nF
  • Характеристика ТРП:-
  • Rds на макс.:100 mΩ
  • Продукт:Power MOSFET Modules
  • Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
  • Корпусировка на излучение:No

Со склада 15

Итого $0.00000