Изображение служит лишь для справки
APT38F50J
-
Microchip
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SOT-227-4, miniBLOC
- MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
Date Sheet
Lagernummer 15
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
- Монтаж:Chassis Mount, Screw
- Количество контактов:4
- Поставщик упаковки устройства:ISOTOP®
- Производитель:ABB
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT38F50
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:38A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния:355W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Распад мощности:355 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Вес единицы:1.058219 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Screw Mounts
- Бренд:Microchip Technology
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:100 mOhms
- РХОС:Details
- Id - Непрерывный ток разряда:38 A
- Количество элементов:1
- Время отключения:100 ns
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:POWER MOS 8™
- Пакетирование:Tube
- Тип:MOSFET
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Максимальная потеря мощности:355 W
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:355 W
- Время задержки включения:38 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:100mOhm @ 28A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:8800 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:220 nC @ 10 V
- Время подъема:45 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Непрерывный ток стока (ID):38 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30 V
- Входной ёмкости:8.8 nF
- Характеристика ТРП:-
- Rds на макс.:100 mΩ
- Продукт:Power MOSFET Modules
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 15
Итого $0.00000










