APT39F60J

Microchip
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SOT-227-4, miniBLOC
MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP
Date Sheet

Lagernummer 8

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：SOT-227-4, miniBLOC
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：4
Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：78101197459
Производитель：Cooper
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT39F60
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：42A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：480W (Tc)
Состояние продукта：Active
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：1.030000 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Screw Mounts
Бренд：Microchip Technology
РХОС：Details
Количество элементов：1
Время отключения：190 ns
Описание пакета：ISOTOP-4
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Код упаковки производителя：ISOTOP
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Форма упаковки：RECTANGULAR
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：2.33
Код упаковки компонента：ISOTOP
Максимальный ток утечки (ID)：42 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：POWER MOS 8™
Пакетирование：Tube
Безоловая кодировка：Yes
Состояние изделия：Production (Last Updated: 2 months ago)
Тип：MOSFET
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNISED
Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
Максимальная потеря мощности：480 W
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-XUFM-X4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：480 W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：65 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：110mOhm @ 28A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：11300 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：280 nC @ 10 V
Время подъема：75 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
Непрерывный ток стока (ID)：42 A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
Сопротивление открытого канала-макс：0.11 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：210 A
Входной ёмкости：11.3 nF
Минимальная напряжённость разрушения：600 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1580 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-
Rds на макс.：110 mΩ
Продукт：Power MOSFET Modules
Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Корпусировка на излучение：No
REACH SVHC：unknown

Со склада 8

Итого $0.00000

Телефон

APT39F60J