JANSF2N2222AUA

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
4-SMD, No Lead
TRANS NPN 50V 0.8A UA
Date Sheet

Lagernummer 2858

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：UA
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Tray
Максимальный коллекторный ток (Ic)：800 mA
Основной номер продукта：2N2222
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：650 mW
Полярность транзистора：NPN
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：75
Collector-Emitter Saturation Voltage：1 V
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip / Microsemi
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：325
РХОС：N
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：JANSF2N2222AUA
Время включения макс. (ton)：35 ns
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Время отключения макс. (toff)：300 ns
Ранг риска：5.04
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/255
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：MIL-19500/255
Код JESD-30：R-CDSO-N4
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：650 mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75 V
Максимальный ток коллектора (IC)：0.8 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
Прямоходящий ток коллектора：800 mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 2858

Итого $0.00000

Телефон

JANSF2N2222AUA