Изображение служит лишь для справки

2N2907

Lagernummer 265

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Поставщик упаковки устройства:TO-18 (TO-206AA)
  • Полярность транзистора:PNP
  • Пакетная партия производителя:1
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology / Atmel
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):600 mA
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Распад мощности:1.8 W
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:100
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1.6 V
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:200 MHz
  • Максимальный постоянный ток сбора:600 mA
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:40 V
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Серия:-
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Распад мощности:400
  • Мощность - Макс:500 mW
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:PNP
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):50nA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Прямоходящий ток коллектора:600
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 265

Итого $0.00000