Изображение служит лишь для справки
BLF861A
-
Advanced
-
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- Axial
- RF MOSFET Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:Axial
- Поставщик упаковки устройства:Axial
- Вес единицы:0.619058 oz
- Пакетная партия производителя:1
- Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд:Advanced Semiconductor, Inc.
- РХОС:Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:65 V
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Монтажные варианты:Flange Mount
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:160 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:18 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 250°C
- Серия:Military, MIL-PRF-39007, RWR80S
- Пакетирование:Bulk
- Размер / Размерность:0.094 Dia x 0.406 L (2.39mm x 10.31mm)
- Допуск:±1%
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:2
- Коэффициент температурной зависимости:±20ppm/°C
- Тип:RF Power MOSFET
- Сопротивление:330 Ohms
- Состав:Wirewound
- Мощность (ватт):2W
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Частота работы:860 MHz
- Срок службы:R (0.01%)
- Выводная мощность:150 W
- Тип продукта:RF MOSFET Transistors
- Увеличение:14.5 dB
- Характеристики:Military, Moisture Resistant
- Категория продукта:RF MOSFET Transistors
- Высота сидения (макс.):--
Со склада 0
Итого $0.00000










