Изображение служит лишь для справки
MRF240A
-
Advanced
-
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Axial
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:Axial
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:Axial
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:4 V
- Распад мощности:100 W
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:10
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Монтажные варианты:Screw Mount
- Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд:Advanced Semiconductor, Inc.
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:18 V
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Артикул Производителя:MRF240A
- Форма упаковки:ROUND
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ASI SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска:5.09
- Рабочая температура:-55°C ~ 250°C
- Серия:Military, MIL-PRF-39007, RWR81S
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Размер / Размерность:0.085 Dia x 0.250 L (2.16mm x 6.35mm)
- Допуск:±1%
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Коэффициент температурной зависимости:±20ppm/°C
- Тип:RF Bipolar Power
- Сопротивление:54.9 Ohms
- Состав:Wirewound
- Мощность (ватт):1W
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Положение терминала:RADIAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:O-CRFM-F4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Частота работы:160 MHz
- Срок службы:S (0.001%)
- Конфигурация:Single
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип продукта:RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора:Bipolar Power
- Максимальная потеря мощности (абс.):100 W
- Максимальный ток коллектора (IC):8 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):10
- Прямоходящий ток коллектора:8 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:18 V
- Частотная полоса наивысшего режима:VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс:125 pF
- Характеристики:Military, Moisture Resistant
- Категория продукта:RF Bipolar Transistors
- Высота сидения (макс.):--
Со склада 0
Итого $0.00000










