APT58F50J

Microchip
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HC-49/US
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
Date Sheet

Lagernummer 50

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：HC-49/US
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：4
Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Mfr：Suntsu Electronics, Inc.
Состояние продукта：Active
Основной номер продукта：APT58F50
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：58A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：540W (Tc)
Расписание В：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
Количество элементов：1
РХОС：Compliant
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код упаковки производителя：ISOTOP
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：APT58F50J
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Microsemi Corporation
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.37
Код упаковки компонента：ISOTOP
Максимальный ток утечки (ID)：58 A
Рабочая температура：-10°C ~ 70°C
Серия：SXTHM2
Размер / Размерность：0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)
Безоловая кодировка：Yes
Тип：MHz Crystal
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
Максимальная потеря мощности：540 W
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Частота：24 MHz
Частотная стабильность：±50ppm
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PUFM-X4
Квалификационный Статус：Not Qualified
ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：30 Ohms
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Емкость нагрузки：19pF
Режим работы：Fundamental
Распад мощности：540 W
Сокетная связка：ISOLATED
Допустимая частотная неопределенность：±50ppm
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 42A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：13500 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：340 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：58 A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
Сопротивление открытого канала-макс：0.065 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：270 A
Входной ёмкости：13.5 nF
Минимальная напряжённость разрушения：500 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1845 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-
Rds на макс.：65 mΩ
Высота сидения (макс.)：0.177 (4.50mm)

Со склада 50

Итого $0.00000

Телефон

APT58F50J