Изображение служит лишь для справки
APL602J
-
Microchip
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- HC-49/US
- MOSFET N-CH 600V 43A ISOTOP
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:HC-49/US
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:4
- Поставщик упаковки устройства:ISOTOP®
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Bulk
- Mfr:Suntsu Electronics, Inc.
- Состояние продукта:Active
- Основной номер продукта:APL602
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:43A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
- Максимальная мощность рассеяния:565W (Tc)
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:4V @ 2.5mA
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:ISOTOP
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:APL602J
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Максимальный ток утечки (ID):43 A
- Код упаковки компонента:ISOTOP
- Ранг риска:5.28
- Рабочая температура:-30°C ~ 85°C
- Серия:SXTHM2
- Размер / Размерность:0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)
- Код JESD-609:e1
- Тип:MHz Crystal
- Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика:UL RECOGNIZED
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Частота:30 MHz
- Частотная стабильность:±25ppm
- Код JESD-30:R-PUFM-X4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление):30 Ohms
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Емкость нагрузки:18pF
- Режим работы:Fundamental
- Сокетная связка:ISOLATED
- Допустимая частотная неопределенность:±25ppm
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:125mOhm @ 21.5A, 12V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:9000 pF @ 25 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):43 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.125 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:172 A
- Минимальная напряжённость разрушения:600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):3000 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):565 W
- Характеристика ТРП:-
- Высота сидения (макс.):0.177 (4.50mm)
- REACH SVHC:compliant
Со склада 9000
Итого $0.00000










