Изображение служит лишь для справки

APL602J

Lagernummer 9000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:HC-49/US
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:4
  • Поставщик упаковки устройства:ISOTOP®
  • Количество терминалов:4
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:Suntsu Electronics, Inc.
  • Состояние продукта:Active
  • Основной номер продукта:APL602
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:43A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
  • Максимальная мощность рассеяния:565W (Tc)
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:4V @ 2.5mA
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Код упаковки производителя:ISOTOP
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:APL602J
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Microsemi Corporation
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Максимальный ток утечки (ID):43 A
  • Код упаковки компонента:ISOTOP
  • Ранг риска:5.28
  • Рабочая температура:-30°C ~ 85°C
  • Серия:SXTHM2
  • Размер / Размерность:0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)
  • Код JESD-609:e1
  • Тип:MHz Crystal
  • Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
  • Дополнительная Характеристика:UL RECOGNIZED
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Технология:MOSFET (Metal Oxide)
  • Положение терминала:UPPER
  • Форма вывода:UNSPECIFIED
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Частота:30 MHz
  • Частотная стабильность:±25ppm
  • Код JESD-30:R-PUFM-X4
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление):30 Ohms
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Емкость нагрузки:18pF
  • Режим работы:Fundamental
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Допустимая частотная неопределенность:±25ppm
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:AMPLIFIER
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:125mOhm @ 21.5A, 12V
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:9000 pF @ 25 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
  • Угол настройки (макс.):±30V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Максимальный сливовой ток (ID):43 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.125 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:172 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:600 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):3000 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):565 W
  • Характеристика ТРП:-
  • Высота сидения (макс.):0.177 (4.50mm)
  • REACH SVHC:compliant

Со склада 9000

Итого $0.00000