2N2920U

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
6-SMD, No Lead
Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 350mW 6-Pin Case U
Date Sheet

Lagernummer 94

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-SMD, No Lead
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：6-SMD
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：30mA
Основной номер продукта：2N2920
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：350 mW
Полярность транзистора：NPN
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage：300 mV
Вес единицы：0.824529 oz
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：SMD/SMT
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Максимальный постоянный ток сбора：30 mA
РХОС：N
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：60 V
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：20
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N2920U
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：1.59
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：235
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-N6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Dual
Мощность - Макс：350mW
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：2 NPN (Dual)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：300 @ 1mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 100µA, 1mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：70 V
Максимальный ток коллектора (IC)：0.03 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：300
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 94

Итого $0.00000

Телефон

2N2920U