2N4234

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Transistor GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-39
Date Sheet

Lagernummer 12

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 1 month ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-39 (TO-205AD)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Состояние продукта：Active
Mfr：PEI-Genesis
Пакет：Bulk
Расписание В：8541100080, 8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080
Максимальная мощность рассеяния：1 W
Количество элементов：1
РХОС：Compliant
Эмиттер-основное напряжение：7(V)
Формат упаковки：TO-39
Полярность транзистора：PNP
Токовая напряжение коллектора-эммитера：40(V)
Категория：Bipolar Power
Диапазон рабочей температуры：-65C to 200C
Коллекторный ток (постоянный)：1(A)
Квантовозащитный：No
Уголок постоянного тока：40
Монтаж：Through Hole
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 mA
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N4234
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microsemi Corporation
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.12
Серия：*
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация：Single
Распад мощности：1 W
Выводная мощность：Not Required(W)
Мощность - Макс：1 W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40 V
Максимальный ток сбора：1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 250mA, 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
Код JEDEC-95：TO-5
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 100mA, 1A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：6 W
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7 V
Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Корпусировка на излучение：No

Со склада 12

Итого $0.00000

Телефон

2N4234