2N3636

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
TRANS PNP 175V 1A TO39
Date Sheet

Lagernummer 72

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-39 (TO-205AD)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Допуск напряжения：10 %
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 A
Основной номер продукта：2N3636
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Описание пакета：TO-39, 3 PIN
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：150 MHz
Артикул Производителя：2N3636
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.09
Код упаковки компонента：BCY
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：1 W
Полярность транзистора：PNP
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50 at 50 mA, 10 VDC
Collector-Emitter Saturation Voltage：300 mV
Минимальная температура работы：- 65 C
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Максимальный постоянный ток сбора：1 A
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：175 V
Рабочая температура：-55 to 125 °C
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Капацитивность：250 pF
Подкатегория：Other Transistors
Технология：Multi-Layer
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Мощность - Макс：1 W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 50mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA
Код JEDEC-95：TO-205AD
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：175 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：175 V
Защита от электростатического разряда：Yes
Максимальная потеря мощности (абс.)：5 W
Напряжение варистора：39 V
Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：175 V
Длина продукта：2 mm

Со склада 72

Итого $0.00000

Телефон

2N3636