JANTX2N4150

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Trans GP BJT NPN 70V 10A 3-Pin TO-5
Date Sheet

Lagernummer 37

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Поставщик упаковки устройства：TO-5
Полярность транзистора：NPN
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：10 A
Основной номер продукта：2N4150
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：10 V
Распад мощности：1 W
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50 at 1 A, 5 VDC
Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
Вес единицы：0.242420 oz
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip / Microsemi
Максимальный постоянный ток сбора：10 A
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：200 at 1 A, 5 VDC
РХОС：N
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：70 V
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/394
Пакетирование：Bulk
Коэффициент температурной зависимости：200 ppm/°C
Сопротивление：270 kOhm
Подкатегория：Transistors
Мощность рейтинга：0.125 W
Технология：Si
Тип резистора：General Purpose
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：1 W
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 5A, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 1A, 10A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：70 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
Номинальная точность резистора：1
Прямоходящий ток коллектора：10
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 37

Итого $0.00000

Телефон

JANTX2N4150