APT30F60J

Microchip
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SOT-227-4, miniBLOC
MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP
Date Sheet

Lagernummer 45

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：SOT-227-4, miniBLOC
Вид крепления：Chassis Mount
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：4
Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
Вес：30.000004 g
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA
Состояние продукта：Active
Максимальная мощность рассеяния：355W (Tc)
Mfr：Microchip Technology
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：31A (Tc)
Основной номер продукта：APT30F60
Пакет：Tube
Расписание В：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
Количество элементов：1
РХОС：Compliant
Время отключения：145 ns
Описание пакета：ISOTOP-4
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Код упаковки производителя：ISOTOP
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：APT30F60J
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Microsemi Corporation
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：1.52
Код упаковки компонента：ISOTOP
Максимальный ток утечки (ID)：31 A
Серия：POWER MOS 8™
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Безоловая кодировка：Yes
Состояние изделия：Production (Last Updated: 2 months ago)
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
Максимальная потеря мощности：355 W
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-XUFM-X4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：355 W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：48 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150mOhm @ 21A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8590 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：215 nC @ 10 V
Время подъема：55 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：31 A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
Сопротивление открытого канала-макс：0.15 Ω
Напряжение пробоя стока к истоку：600 V
Максимальный импульсный ток вывода：160 A
Входной ёмкости：8.59 nF
Минимальная напряжённость разрушения：600 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1200 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-
Сопротивление стока к истоку：120 mΩ
Rds на макс.：150 mΩ
Ширина：25.4 mm
Высота：9.6 mm
Длина：38.2 mm
Корпусировка на излучение：No
REACH SVHC：unknown

Со склада 45

Итого $0.00000

Телефон

APT30F60J