Изображение служит лишь для справки
JAN2N2906A
-
Microchip
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-18
Date Sheet
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Поставщик упаковки устройства:TO-18
- Полярность транзистора:PNP
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):600 mA
- Основной номер продукта:2N2906
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Распад мощности:500 mW
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:40 at 1mA, 10 VDC
- Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
- Вес единицы:0.135364 oz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора:600 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:175 at 1 mA, 10 VDC
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:60 V
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/291
- Пакетирование:Bulk
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:500 mW
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):50nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
- Прямоходящий ток коллектора:600
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 49
Итого $0.00000










