2N3868S

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-39 Bag
Date Sheet

Lagernummer 37

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-39 (TO-205AD)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：3 mA
Основной номер продукта：2N3868
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
РХОС：Compliant
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Описание пакета：TO-39, 3 PIN
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N3868S
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.11
Код упаковки компонента：BCY
Время включения макс. (ton)：100 ns
Время отключения макс. (toff)：600 ns
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：Transistors
Максимальная потеря мощности：1 W
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Мощность - Макс：1 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60 V
Максимальный ток сбора：3 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 1.5A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100µA (ICBO)
Код JEDEC-95：TO-205AD
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 250mA, 2.5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：10 W
Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 37

Итого $0.00000

Телефон

2N3868S