2N4033

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-39
Date Sheet

Lagernummer 17

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-39 (TO-205AD)
Полярность транзистора：PNP
Состояние продукта：Active
Mfr：Microchip Technology
Основной номер продукта：2N4033
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 A
Пакет：Bulk
Диэлектрический пробой напряжение：80 V
Максимальная мощность рассеяния：800 mW
Количество элементов：1
РХОС：Compliant
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 200°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Направленность：PNP
Распад мощности：800
Мощность - Макс：800 mW
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
Максимальный ток сбора：1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 100mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 100mA, 1A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
Прямоходящий ток коллектора：1
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 17

Итого $0.00000

Телефон

2N4033