Изображение служит лишь для справки

2N4931

Lagernummer 81

  • 1+: $7.28459
  • 10+: $6.87226
  • 100+: $6.48326
  • 500+: $6.11628
  • 1000+: $5.77008

Zwischensummenbetrag $7.28459

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Поставщик упаковки устройства:TO-39
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):200 mA
  • Основной номер продукта:2N4931
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Распад мощности:1 W
  • Полярность транзистора:PNP
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1.2 V
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology
  • Максимальный постоянный ток сбора:200 mA
  • РХОС:N
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:250 V
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Серия:-
  • Пакетирование:Bulk
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:1 W
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:PNP
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:50 @ 30mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):250nA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.2V @ 3mA, 30mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):250 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):250 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 81

  • 1+: $7.28459
  • 10+: $6.87226
  • 100+: $6.48326
  • 500+: $6.11628
  • 1000+: $5.77008

Итого $7.28459