Изображение служит лишь для справки
2N5154
-
Microchip
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-39
Date Sheet
Lagernummer 57
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Поставщик упаковки устройства:TO-39
- Полярность транзистора:NPN
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):2 A
- Основной номер продукта:-
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5.5 V
- Распад мощности:1 W
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:70 at 2.5 A, 5 VDC
- Collector-Emitter Saturation Voltage:750 mV
- Вес единицы:0.241715 oz
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology / Atmel
- Максимальный постоянный ток сбора:2 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:200 at 2.5 A, 5 VDC
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:80 V
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия:-
- Пакетирование:Bulk
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:11.8
- Мощность - Макс:1 W
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:70 @ 2.5A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100µA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.5V @ 500mA, 5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):80 V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100 V
- Прямоходящий ток коллектора:2
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 57
Итого $0.00000










