2N5794

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
TO-78-6 Metal Can
NPN TRANSISTOR
Date Sheet

Lagernummer 33

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-78-6 Metal Can
Вид крепления：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-78-6
Количество терминалов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：600mA
Основной номер продукта：2N579
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Полярность транзистора：NPN
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
РХОС：Details
Описание пакета：HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Минимальная температура работы：-65 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
Артикул Производителя：2N5794
Время включения макс. (ton)：40 ns
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Время отключения макс. (toff)：300 ns
Ранг риска：5.2
Код упаковки компонента：TO-78
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：8
Код JESD-30：O-MBCY-W8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS
Мощность - Макс：600mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：2 NPN (Dual)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA (ICBO)
Код JEDEC-95：TO-78
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：900mV @ 30mA, 300mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
Частота - Переход：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V
Максимальное напряжение на выходе：0.9 V
Сопротивление базы-эмиттора макс：8 pF
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.6 W
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 33

Итого $0.00000

Телефон

2N5794