Изображение служит лишь для справки
NTE22
-
NTE Electronics, Inc.
-
Integrated Circuits (ICs)
- Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Монтаж:Through Hole
- Количество контактов:3
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:NTE22
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска:2.15
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:IN-LINE
- Траниционный частотный предел (fT):100 MHz
- РХОС:Non-Compliant
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:135 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):80 V
- Максимальный ток сбора:1 A
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100 V
- Максимальная потеря мощности (абс.):1 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
- Максимальный ток коллектора (IC):1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):120
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:80 V
Со склада 0
Итого $0.00000










