MXLP5KE36AE3

Microchip
TVS - Diodes
Tvs Diode 36VWM 58.1VC DO41
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Вид крепления：Through Hole
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Артикул Производителя：MXLP5KE36AE3
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Описание пакета：O-PALF-W2
Ранг риска：5.84
Уровни чувствительности к влажности：1
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：ROUND
Форма упаковки：LONG FORM
Максимальная мощность рассеяния：1.19 W
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
РХОС：Compliant
Обратная напряженность отстоя：36 V
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN OVER COPPER
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Состав：Zener
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Положение терминала：AXIAL
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：IEC-61000-4-5
Код JESD-30：O-PALF-W2
Направленность：UNIDIRECTIONAL
Конфигурация：SINGLE
Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Защита линии питания：No
Уровень задержки：58.1 V
Пиковый импульсный ток：8.6 A
Максимальная импульсная мощность：500 W
Максимальное обратное напряжение：36 V
Код JEDEC-95：DO-204AL
Максимальная мощность разрядки：500 W
Количество однонаправленных каналов：1
Минимальная напряжение разрушения：40 V
Максимальная напряжённость разрушения：44.2 V
Минимальная разрушающая напряжение：40 V

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

MXLP5KE36AE3