2N6987

Microchip
Integrated Circuits (ICs)
14-DIP (0.300, 7.62mm)
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 14-Pin TO-116 Tube
Date Sheet

Lagernummer 21

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：14-DIP (0.300, 7.62mm)
Поставщик упаковки устройства：TO-116
Количество терминалов：14
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：2N6987
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：1.49
Количество элементов：4
Температура работы-Макс：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：IN-LINE
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：600mA
Основной номер продукта：2N698
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：1.5 W
Полярность транзистора：PNP
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Бренд：Microchip Technology
Максимальный постоянный ток сбора：600 mA
РХОС：N
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：60 V
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-XDIP-T14
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Мощность - Макс：1.5W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：4 PNP (Quad)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA (ICBO)
Код JEDEC-95：TO-116
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 21

Итого $0.00000

Телефон

2N6987