MDS60L

Microchip
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Trans GP BJT 65V 4A 3-Pin Case 55AW
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Поверхностный монтаж：YES
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Количество контактов：3
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：MDS60L
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Описание пакета：HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Ранг риска：5.85
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Диэлектрический пробой напряжение：65 V
РХОС：Compliant
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Максимальная потеря мощности：120 W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：2
Код JESD-30：R-CDFM-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Распад мощности：120 W
Сокетная связка：BASE
Полярность/Тип канала：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：65 V
Максимальный ток сбора：4 A
Увеличение：10 dB
Частота перехода：1.09 GHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：65 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：120 W
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：3.5 V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：65 V
Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
Корпусировка на излучение：No

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

MDS60L