Изображение служит лишь для справки

JANS1N6116A

Lagernummer 6

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:B, Axial
  • Количество контактов:2
  • Поставщик упаковки устройства:B, Axial
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Максимальная мощность рассеяния:2 W
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Артикул Производителя:JANS1N6116A
  • Рохс Код:No
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:SENSITRON SEMICONDUCTOR
  • Описание пакета:O-LALF-W2
  • Ранг риска:5.86
  • Пороговая напряжённость-номинал:27 V
  • Количество элементов:1
  • Материал корпуса пакета:GLASS
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Пакет:Bulk
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Обратная напряженность отстоя:20.6 V
  • РХОС:Compliant
  • Ток напряжения Контакт ESD:-
  • Напряжение зазора от электростатического разряда в воздухе:-
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Серия:Military, MIL-PRF-19500/516
  • Пакетирование:Bulk
  • Безоловая кодировка:No
  • Состояние изделия:Production (Last Updated: 2 months ago)
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:Zener
  • Максимальная рабочая температура:175 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Применение:General Purpose
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
  • Положение терминала:AXIAL
  • Форма вывода:WIRE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Стиль заканчивания:Axial
  • Код JESD-30:O-LALF-W2
  • Квалификационный Статус:Qualified
  • Направленность:BIDIRECTIONAL
  • Конфигурация:SINGLE
  • Ток утечки:1 nA
  • Конфигурация элемента:Single
  • Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Защита линии питания:No
  • Напряжение - Пробивное (Мин):25.7V
  • Мощность - Пиковая импульсная:500W
  • Максимальный импульсный ток (10/1000 мкс):13.4A
  • Максимальный обратный ток утечки:1 µA
  • Максимальная напряжение-ограничение @ Ipp:37.4V
  • Уровень задержки:37.4 V
  • Напряжение - Отталкивание в обратном направлении (тип):20.6V
  • Пиковый импульсный ток:13.4 A
  • Максимальная импульсная мощность:500 W
  • Направление:Bidirectional
  • Ток испытания:50 mA
  • Тип продукта:TVS Diodes
  • Двусторонние каналы:1
  • Максимальное обратное напряжение:20.6 V
  • Капацитиность @ Фrekвенция:-
  • Обратное пробивное напряжение:25.7 V
  • Максимальная мощность разрядки:500 W
  • Минимальная напряжение разрушения:25.7 V
  • Максимальное напряжение зажима:37.4 V
  • Минимальная разрушающая напряжение:25.7 V
  • Корпусировка на излучение:No

Со склада 6

Итого $0.00000