Изображение служит лишь для справки
APL501J
-
Microchip
-
Integrated Circuits (ICs)
- ISOTOP-4
- Trans MOSFET N-CH 500V 43A 4-Pin SOT-227 Tube
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Корпус / Кейс:ISOTOP-4
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:APL501J
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента:ISOTOP
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
- Код упаковки производителя:ISOTOP
- Ранг риска:5.35
- Максимальный ток утечки (ID):43 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Распад мощности:520 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Вес единицы:2.264236 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Бренд:Microchip Technology
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:120 mOhms
- РХОС:Details
- Id - Непрерывный ток разряда:43 A
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика:UL RECOGNIZED
- Технология:Si
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PUFM-X4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество:1 Channel
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Тип продукта:MOSFET
- Максимальный сливовой ток (ID):43 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.12 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:172 A
- Минимальная напряжённость разрушения:500 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):520 W
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 0
Итого $0.00000










