2N5003

Microchip
Integrated Circuits (ICs)
Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin TO-59 Tray
Date Sheet

Lagernummer 2378

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Поверхностный монтаж：NO
Монтаж：Stud
Количество контактов：3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：2N5003
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Описание пакета：HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
Ранг риска：5.14
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：METAL
Форма упаковки：ROUND
Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：2N5003
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
РХОС：Compliant
Серия：*
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：2 W
Технология：Si
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MUPM-X3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
Максимальный ток сбора：5 A
Код JEDEC-95：TO-59
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：58 W
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Корпусировка на излучение：No

Со склада 2378

Итого $0.00000

Телефон

2N5003