2N3867

Microchip
Integrated Circuits (ICs)
Trans GP BJT PNP 40V 3A 3-Pin TO-5
Date Sheet

Lagernummer 21

1+： $9.20375
10+： $8.68278
100+： $8.19130
500+： $7.72764
1000+： $7.29023

Zwischensummenbetrag $9.20375

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Поверхностный монтаж：NO
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-5
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：2N3867
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Описание пакета：TO-5, 3 PIN
Ранг риска：5.1
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：METAL
Форма упаковки：ROUND
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Траниционный частотный предел (fT)：60 MHz
Время отключения макс. (toff)：600 ns
Время включения макс. (ton)：100 ns
Полярность транзистора：PNP
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：3 mA
Основной номер продукта：2N3867
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Пакетная партия производителя：1
Бренд：Microchip Technology
РХОС：N
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Максимальная потеря мощности：1 W
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Распад мощности：10
Мощность - Макс：1 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40 V
Максимальный ток сбора：3 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 1.5A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100µA (ICBO)
Код JEDEC-95：TO-5
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 250mA, 2.5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：1 W
Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Прямоходящий ток коллектора：3
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 21

1+： $9.20375
10+： $8.68278
100+： $8.19130
500+： $7.72764
1000+： $7.29023

Итого $9.20375

Телефон

2N3867