2N3501UB

Microchip
Integrated Circuits (ICs)
SMD-4
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 500mW Surface Mount UB
Date Sheet

Lagernummer 170

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Корпус / Кейс：SMD-4
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：UB
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：2N3501UB
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Ранг риска：5.1
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Полярность транзистора：NPN
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：500 mW
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
Вес единицы：0.057223 oz
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：SMD/SMT
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Максимальный постоянный ток сбора：300 mA
РХОС：N
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：150 V
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：300 mA
Основной номер продукта：2N3501
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Waffle
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/366
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-CDSO-N3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Мощность - Макс：500 mW
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 15mA, 150mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：150 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：150 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.5 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.3 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Прямоходящий ток коллектора：300
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：150 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 170

Итого $0.00000

Телефон

2N3501UB