D2212UK

TT Electronics
Integrated Circuits (ICs)
DP
RF MOSFET Transistors Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Корпус / Кейс：DP
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：D2212UK
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：SEMELAB LTD
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Ранг риска：5.1
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Id - Непрерывный ток разряда：8 A
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：GOLD
Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-CDFM-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Частота работы：1 GHz
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：SOURCE
Выводная мощность：10 W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Увеличение：10 dB
Минимальная напряжённость разрушения：40 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

D2212UK