Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Артикул Производителя:CTLTVS12
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Описание пакета:R-PBCC-N2
- Ранг риска:5.78
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:CHIP CARRIER
- Максимальная мощность рассеяния:1 W
- Код ECCN:EAR99
- Дополнительная Характеристика:LOW CAPACITANCE
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:NO LEAD
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PBCC-N2
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Максимальное обратное напряжение:9 V
- Максимальная мощность разрядки:35 W
- Минимальная напряжение разрушения:10 V
- Максимальная напряжённость разрушения:14 V
Со склада 0
Итого $0.00000










