1N4757A-G

Lagernummer 86005

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Артикул Производителя：1N4757A-G
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：PAN JIT INTERNATIONAL INC
Код упаковки компонента：DO-41
Описание пакета：O-LALF-W2
Ранг риска：5.01
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Материал корпуса пакета：GLASS
Форма упаковки：ROUND
Форма упаковки：LONG FORM
Максимальная мощность рассеяния：1 W
Номинальный напряжений отсчета：51 V
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Положение терминала：AXIAL
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：2
Код JESD-30：O-LALF-W2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：UNIDIRECTIONAL
Конфигурация：SINGLE
Тип диода：ZENER DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Допустимый напряжений предел：5%
Код JEDEC-95：DO-41
Тестовая рабочая токовая струя：5 mA
Динамическое сопротивление-макс：95 Ω

Со склада 86005

Итого $0.00000

Телефон

1N4757A-G