024N04

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：1 Week
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：FDB024N04AL7
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Код упаковки производителя：418AY
Ранг риска：1.57
Максимальный ток утечки (ID)：100 A
Уровни чувствительности к влажности：1
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：175 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：ULTRA-LOW RESISTANCE
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：R-PSSO-G6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Название бренда：ON Semiconductor
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：219 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0024 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：876 A
Минимальная напряжённость разрушения：40 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：864 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：214 W

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

024N04