Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 4914

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-18-3
  • Материал:Si
  • Евро РОШ:Compliant
  • ЭККН (США):EAR99
  • HTS:8541.21.00.75
  • Автомобильные:No
  • Пакет подготовки для производства:No
  • Число элементов на чипе:1
  • Максимальное напряжение базы эмиттора (В):60
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В):60
  • Максимальный диапазон напряжения эмиттера-экранного (В):60 to 70
  • Максимальное напряжение насыщения коллектора-эммитера (В):0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA
  • Максимальное напряжение базы эмиттера (В):5
  • Максимальное напряжение насыщения эмиттера основания (В):1.3@15mA@150mA|2.6@50mA@500mA
  • Максимальный постоянный ток сбора (А):0.6
  • Максимальный диапазон прямого тока сбора (А):0.5 to 2
  • Максимальный коллекторный ток отсечки (нА):10
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока:[email protected]@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V
  • Минимальный диапазон усиления постоянного тока:50 to 120
  • Типовая входная ёмкость (пФ):30(Max)
  • Характеристическая емкость вывода (пФ):8(Max)
  • Максимальная мощность рассеяния (мВт):400
  • Максимальная частота перехода (МГц):200(Min)
  • Максимальное время включения (нс):45
  • Максимальное время отключения (нс):100
  • Максимальное время подъёма (нс):40
  • Минимальная температура работы (°C):-65
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):200
  • Монтаж:Through Hole
  • Высота корпуса:5.33(Max)
  • Плата изменена:3
  • Поставщикская упаковка:TO-18
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Распад мощности:400 mW
  • Полярность транзистора:PNP
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:2.6 V
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Пакетная партия производителя:10000
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:200 MHz
  • Производитель:Rectron
  • Бренд:Rectron
  • Максимальный постоянный ток сбора:600 mA
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:50
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:60 V
  • Пакетирование:Bag
  • Состояние изделия:Unconfirmed
  • Тип:PNP
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Число контактов:3
  • Конфигурация:Single
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Прямоходящий ток коллектора:600 mA
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
  • Диаметр:5.84(Max)

Со склада 4914

Итого $0.00000