Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 207812

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:SOT-23-3
  • Количество контактов:3
  • Евро РОШ:Compliant
  • ЭККН (США):EAR99
  • HTS:8541.21.00.75
  • Автомобильные:No
  • Пакет подготовки для производства:No
  • Категория:Bipolar Small Signal
  • Число элементов на чипе:1
  • Максимальное напряжение базы эмиттора (В):60
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В):40
  • Максимальное напряжение базы эмиттера (В):6
  • Максимальное напряжение насыщения эмиттера основания (В):0.95@15mA@150mA|1.2@50mA@500mA
  • Максимальное напряжение насыщения коллектора-эммитера (В):0.4@15mA@150mA|0.75@50mA@500mA
  • Максимальный постоянный ток сбора (А):0.6
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока:[email protected]@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500mA@2V
  • Максимальная мощность рассеяния (мВт):300
  • Максимальная частота перехода (МГц):250(Min)
  • Минимальная температура работы (°C):-55
  • Максимальная температура эксплуатации (°C):150
  • Монтаж:Surface Mount
  • Высота корпуса:1(Max)
  • Ширина пакета:1.4(Max)
  • Длина корпуса:3(Max)
  • Плата изменена:3
  • Стандартное наименование упаковки:SOT
  • Поставщикская упаковка:SOT-23
  • Форма вывода:Gull-wing
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:40 V
  • РХОС:Details
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:300
  • Максимальный постоянный ток сбора:100 mA
  • Бренд:Rectron
  • Производитель:Rectron
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:250 MHz
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Минимальная температура работы:-
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:800 mV
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:100
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Полярность транзистора:NPN
  • Распад мощности:200 mW
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
  • Пакетирование:MouseReel
  • Состояние изделия:Active
  • Тип:NPN
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Прямоходящий ток коллектора:100 mA
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 207812

Итого $0.00000