2N2895

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-18-3
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Date Sheet

Lagernummer 41

1+： $19.03854
10+： $17.96089
100+： $16.94423
500+： $15.98513
1000+： $15.08031

Zwischensummenbetrag $19.03854

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-18-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
Распад мощности：1.8 W
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：40
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：120
Пакетная партия производителя：1
Пакет：Bulk
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：120 MHz
Артикул Производителя：2N2895
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.21
Пакетирование：Bulk
Серия：*
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Полярность/Тип канала：NPN
Код JEDEC-95：TO-206AA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.5 W
Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
Прямоходящий ток коллектора：1 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：65 V

Со склада 41

1+： $19.03854
10+： $17.96089
100+： $16.94423
500+： $15.98513
1000+： $15.08031

Итого $19.03854

Телефон

2N2895