2N4150

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-5-3
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 92

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-5-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-5AA
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：70 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
Максимальный постоянный ток сбора：10 A
Распад мощности：1 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50 at 1 A, 5 VDC
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：200 at 1 A, 5 VDC
Пакетная партия производителя：1
Вес единицы：0.164906 oz
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：10 A
Основной номер продукта：2N4150
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：1 W
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 1A, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 1A, 10A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：70 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V

Со склада 92

Итого $0.00000

Телефон

2N4150