Изображение служит лишь для справки

2N6213

Lagernummer 18

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 1 month ago)
  • Покрытие контактов:Lead, Tin
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-213AA, TO-66-2
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:2
  • Поставщик упаковки устройства:TO-66 (TO-213AA)
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:N
  • Полярность транзистора:NPN
  • Пакетная партия производителя:1
  • Максимальная мощность рассеяния:3 W
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):2 A
  • Основной номер продукта:2N6213
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Код упаковки компонента:TO-66
  • Ранг риска:5.15
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Количество элементов:1
  • Форма упаковки:ROUND
  • Артикул Производителя:2N6213
  • Рохс Код:No
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Описание пакета:TO-66, 2 PIN
  • Пакетирование:Tray
  • Рабочая температура:-55°C ~ 200°C
  • Серия:-
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Конечная обработка контакта:TIN LEAD
  • Максимальная рабочая температура:200 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:PIN/PEG
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:O-MBFM-P2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Мощность - Макс:3 W
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип транзистора:PNP
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):350 V
  • Максимальный ток сбора:2 A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 1A, 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):5mA
  • Код JEDEC-95:TO-213AA
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2V @ 125mA, 1A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):350 V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):400 V
  • Максимальная потеря мощности (абс.):35 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):2 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):30
  • Прямоходящий ток коллектора:2
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:350 V

Со склада 18

Итого $0.00000