Изображение служит лишь для справки
2N6213
-
Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-213AA, TO-66-2
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet
Lagernummer 18
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 1 month ago)
- Покрытие контактов:Lead, Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-213AA, TO-66-2
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:2
- Поставщик упаковки устройства:TO-66 (TO-213AA)
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:N
- Полярность транзистора:NPN
- Пакетная партия производителя:1
- Максимальная мощность рассеяния:3 W
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):2 A
- Основной номер продукта:2N6213
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Код упаковки компонента:TO-66
- Ранг риска:5.15
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Код цикла жизни компонента:Active
- Количество элементов:1
- Форма упаковки:ROUND
- Артикул Производителя:2N6213
- Рохс Код:No
- Температура работы-Макс:200 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета:METAL
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Описание пакета:TO-66, 2 PIN
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-55°C ~ 200°C
- Серия:-
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Максимальная рабочая температура:200 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Мощность - Макс:3 W
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):350 V
- Максимальный ток сбора:2 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 1A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):5mA
- Код JEDEC-95:TO-213AA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2V @ 125mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):350 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):400 V
- Максимальная потеря мощности (абс.):35 W
- Максимальный ток коллектора (IC):2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):30
- Прямоходящий ток коллектора:2
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:350 V
Со склада 18
Итого $0.00000










