2N3057A

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-46-3
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Date Sheet

Lagernummer 108

1+： $6.66242
10+： $6.28531
100+： $5.92953
500+： $5.59390
1000+： $5.27726

Zwischensummenbetrag $6.66242

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-46-3
Вид крепления：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-46-3
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：500 mV
Максимальный постоянный ток сбора：1 A
Распад мощности：500 mW
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Пакетная партия производителя：1
Вес единицы：0.082453 oz
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 A
Основной номер продукта：2N3057
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Описание пакета：TO-46, 3 PIN
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N3057A
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.16
Код упаковки компонента：BCY
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：500 mW
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 500mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA
Код JEDEC-95：TO-206AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：140 V
Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
Прямоходящий ток коллектора：1
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V

Со склада 108

1+： $6.66242
10+： $6.28531
100+： $5.92953
500+： $5.59390
1000+： $5.27726

Итого $6.66242

Телефон

2N3057A