2N4913

Lagernummer 5

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：750 mV
Максимальный постоянный ток сбора：5 A
Распад мощности：88 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Пакетная партия производителя：1
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：2N4913
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N4913
Форма упаковки：ROUND
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.15
Пакетирование：Tray
Серия：*
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：88 W
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：2
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Полярность/Тип канала：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40 V
Максимальный ток сбора：5 A
Код JEDEC-95：TO-3
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：25
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V
Корпусировка на излучение：No

Со склада 5

Итого $0.00000

Телефон

2N4913