2N4240

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-213AA, TO-66-2
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 75

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-213AA, TO-66-2
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-66
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：300 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1 V
Максимальный постоянный ток сбора：2 A
Распад мощности：35 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Пакетная партия производителя：1
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：2 A
Основной номер продукта：2N4240
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：15 MHz
Артикул Производителя：2N4240
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：1.76
Код упаковки компонента：TO-66
Пакетирование：Tray
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：2
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：35 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 750mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
Код JEDEC-95：TO-66
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 75mA, 750mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：500 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：500 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：35 W
Максимальный ток коллектора (IC)：2 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：300 V

Со склада 75

Итого $0.00000

Телефон

2N4240