2N3735

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-39-3
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Date Sheet

Lagernummer 80

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-39-3
Вид крепления：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-39 (TO-205AD)
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：900 mV
Максимальный постоянный ток сбора：1.5 A
Распад мощности：1 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Пакетная партия производителя：1
Вес единицы：0.184589 oz
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1.5 A
Основной номер продукта：2N3735
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N3735
Время включения макс. (ton)：48 ns
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Время отключения макс. (toff)：60 ns
Ранг риска：5.07
Код упаковки компонента：TO-39
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Распад мощности：2.9
Мощность - Макс：1 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 1A, 1.5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA (ICBO)
Код JEDEC-95：TO-205AD
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：900mV @ 100mA, 1A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75 V
Максимальный ток коллектора (IC)：1.5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
Прямоходящий ток коллектора：1.5
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V

Со склада 80

Итого $0.00000

Телефон

2N3735