Изображение служит лишь для справки
2N1483
-
Microchip Technology
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-8-3
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс:TO-8-3
- Вид крепления:Through Hole
- Монтаж:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:TO-8
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:N
- Монтажные варианты:Through Hole
- Пакетная партия производителя:1
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):3 A
- Состояние продукта:Active
- Mfr:Microchip Technology
- Основной номер продукта:2N1483
- Максимальная мощность рассеяния:1.75 W
- Форма упаковки:CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета:METAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:2N1483
- Форма упаковки:ROUND
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.14
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия:-
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Максимальная рабочая температура:200 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Мощность - Макс:1.75 W
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):40 V
- Максимальный ток сбора:3 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 750mA, 4V
- Ток - отсечка коллектора (макс):15µA
- Код JEDEC-95:TO-8
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1.20V @ 75mA, 750A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):40 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
- Максимальный ток коллектора (IC):3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):20
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:40 V
- Корпусировка на излучение:No
Со склада 8
Итого $0.00000










