2N5666

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 9

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 1 month ago)
Покрытие контактов：Lead, Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-5
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：NPN
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：300 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
Максимальный постоянный ток сбора：5 A
Распад мощности：1.2 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 65 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Пакетная партия производителя：1
Вес единицы：0.097719 oz
Эмиттер-основное напряжение：6(V)
Формат упаковки：TO-5
Токовая напряжение коллектора-эммитера：250(V)
Категория：Bipolar Power
Диапазон рабочей температуры：-65C to 200C
Коллекторный ток (постоянный)：5(A)
Количество элементов：1
Квантовозащитный：No
Уголок постоянного тока：5
Монтаж：Through Hole
Расписание В：8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
Основной номер продукта：2N5666
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Описание пакета：HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：20 MHz
Артикул Производителя：2N5666
Форма упаковки：ROUND
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.01
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：1.2 W
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация：Single
Распад мощности：2.5
Выводная мощность：Not Required(W)
Мощность - Макс：1.2 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：200 V
Максимальный ток сбора：5 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 1A, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：200nA
Код JEDEC-95：TO-5
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 1A, 5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：200 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：250 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：15 W
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：5
Прямоходящий ток коллектора：5
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：200 V

Со склада 9

Итого $0.00000

Телефон

2N5666