2N3419

Microchip Technology
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-5-3
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 9

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Корпус / Кейс：TO-5-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-5
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакетная партия производителя：1
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：60 at 1 A, 2 V
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：20 at 1 A, 2 V
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Минимальная температура работы：- 65 C
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Распад мощности：1 W
Максимальный постоянный ток сбора：3 A
Collector-Emitter Saturation Voltage：500 mV
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：8 V
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
Полярность транзистора：NPN
Монтажные варианты：Through Hole
РХОС：N
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：3 A
Основной номер продукта：2N3419
Состояние продукта：Active
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：1 W
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N3419
Время включения макс. (ton)：300 ns
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Время отключения макс. (toff)：1300 ns
Ранг риска：5.12
Пакетирование：Bulk
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：1 W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
Максимальный ток сбора：3 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 1A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：5µA
Код JEDEC-95：TO-5
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：125 V
Максимальный ток коллектора (IC)：3 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：10
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Корпусировка на излучение：No

Со склада 9

Итого $0.00000

Телефон

2N3419