STD11N60M6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DPAK-3
MOSFET N-channel 600 V, 500 mOhm typ 8 A MDmesh M6 Power MOSFETComplete Your Design
Date Sheet

Lagernummer 5000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：DPAK-3
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：D-PAK (TO-252)
РХОС：Details
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Id - Непрерывный ток разряда：8 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：520 mOhms
Усв：- 25 V, + 25 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.75 V
Зарядная характеристика ворот：10.3 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：90 W
Режим канала：Enhancement
Торговое наименование：MDmesh
Fall Time：9.8 ns
Пакетная партия производителя：2500
Время задержки отключения типичного：22 ns
Время типичного задержки включения：7.4 ns
Вес единицы：0.012699 oz
Прямоходящий ток вывода Id：8
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：STD11
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеяния：90W (Tc)
Состояние продукта：Active
Квалификация：-
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：DPAK (TO-252)
Пакетирование：Cut Tape
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Число контактов：3
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：90
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：520mOhm @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.75V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：387 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10.3 nC @ 10 V
Время подъема：7.2 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±25V
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-

Со склада 5000

Итого $0.00000

Телефон

STD11N60M6