APT50GR120B2

Microchip Technology
Transistors - IGBTs - Modules
TO-247-3
IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 23

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-247-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-247
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：3.5 V
Continuous Collector Current at 25 C：117 A
Gate-Emitter Leakage Current：250 nA
Распад мощности：694 W
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：30 V
Монтажные варианты：Through Hole
Пакетная партия производителя：1
Вес единицы：0.211644 oz
Условия испытания：600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Состояние продукта：Active
Mfr：Microchip Technology
Основной номер продукта：APT50GR120
Максимальный коллекторный ток (Ic)：117 A
Пакет：Tube
Пакетирование：Tube
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация：Single
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：694 W
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 50A
Тип ИGBT：NPT
Зарядная мощность：445 nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：200 A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：28ns/237ns
Переключаемый энергопотребление：2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Продукт：IGBT Silicon Modules

Со склада 23

Итого $0.00000

Телефон

APT50GR120B2