APT40GR120B2D30

Microchip Technology
Transistors - IGBTs - Single
TO-247-3
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, 30A, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 82

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-247-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-247-3
РХОС：Details
Монтажные варианты：Through Hole
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5 V
Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 30 V, + 30 V
Continuous Collector Current at 25 C：88 A
Распад мощности：500 W
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：88 A
Gate-Emitter Leakage Current：250 nA
Пакетная партия производителя：1
Торговое наименование：Ultra Fast NPT-IGBT
Вес единицы：1.340411 oz
Пакет：Tube
Максимальный коллекторный ток (Ic)：88 A
Основной номер продукта：APT40GR120
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Условия испытания：600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Конфигурация：Single
Распад мощности：500
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：500 W
Диапазон рабочей температуры：- 55 C to + 150 C
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 40A
Прямоходящий ток коллектора：88 A
Тип ИGBT：NPT
Зарядная мощность：210 nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：160 A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：22ns/163ns
Переключаемый энергопотребление：1.38mJ (on), 906µJ (off)
Высота：5.31 mm
Длина：21.46 mm
Ширина：16.26 mm

Со склада 82

Итого $0.00000

Телефон

APT40GR120B2D30